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电子元器件详细资料 » IC[27158] » SIRA06DP-T1-GE3
型号:SIRA06DP-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C40A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs77nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds3595pF @ 15V
功率_最大27.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
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SIRA06DP-T1-GE3相关型号

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